高熱導率氮化硅陶瓷基板

隨(sui)著半(ban)導體(ti)(ti)器(qi)件沿大(da)功率(lv)(lv)化、高頻化、集成(cheng)化的(de)方(fang)向迅(xun)猛(meng)發(fa)展,熱管理成(cheng)為保障器(qi)件可靠性(xing)的(de)重點(dian)。在新能(neng)源汽車、高鐵、航空(kong)航天(tian)等領(ling)域,半(ban)導體(ti)(ti)器(qi)件使(shi)用過(guo)程中往往要面臨顛(dian)簸震動等復雜力(li)學(xue)環(huan)境,對材(cai)料的(de)力(li)學(xue)性(xing)能(neng)提(ti)出苛刻(ke)要求。氮化硅陶(tao)瓷具備高熱導率(lv)(lv)、高強度、高韌性(xing)等特點(dian),綜合性(xing)能(neng)明顯優于氧化鋁(lv)、氮化鋁(lv)等基板材(cai)料,屬于陶(tao)瓷電路(lu)基板中的(de)高端產品。